K650X溅射镀膜仪(三靶大样品室)
K650X具有三个磁控管，可对大样品进行喷镀，样品台可旋转，保证均匀沉积。这种方法可利用标准靶面，不需要特别的大靶面。
这种三头靶面系统特别适用于半导体晶片工业。
本系统使用磁电管靶，在使用低电压时提高了效率，并且能得到非常精细的颗粒，由于是冷溅射，所以无需冷却靶面或样品台。
仪器装有60mm直径、0.1mm厚的金靶(或用户选择)，提供最适合的性能价格比。
功能集中在仪器面板上及即插即用电子学设计，最大的“up-time”，这些用户友好设计满足了不同学科的用户需求。
溅射参数可被预先设置，包括气体放气针阀，此阀为电磁阀，具有自动控制，可精确及重复膜厚沉积。
溅射头互锁，系统可容易选配K250镀碳附件。
本仪器为全自动操作，可控制独立的真空泵。
K650T Turbo Unit与上面相同，但具有涡轮分子泵，抽速60升/秒具有更高及清洁的真空。

特点
·三个靶面溅射系统
·全自动控制
·低电压溅射
·高分辨率精细涂层(金颗粒可达2 nm)
·具有倾斜装置的特殊旋转台
·均匀厚度沉积(扫描电镜一般厚度为 20nm 或200埃)
·225 mm(6英寸)腔室直径
·可接膜厚监视器，实时监视镀层厚度

优点
·适合大样品，如晶圆
·易操作
·无需冷却样品台
·精确的再次涂层
·适合各种样品
·膜厚度重复性好
·容易装载或卸载大样品-最大到6"晶圆
·可预设沉积厚度

性能指标
1.仪器尺寸:450mm W x 350mm D x 175mm H
2.工作腔室:硼硅酸盐玻璃 225mm Dia x 125mm H
3.基座: 110 mm直径x 115mm高
4.安全钟罩:聚碳酸酯
5.重量:24公斤
6.靶:3 x 60 mm 直径 x 0.1mm 厚(金作为标准靶面)
7.旋转台:直径为155 mm，可调节
8.样品台:距离靶面40到50 mm
9.真空范围:ATM-1x10-2 mbar
10.沉积电流范围:0-100mA
11.沉积速率:0-20nm/分
12.溅射时间: 0-4 分钟
13.预设置针阀:控制氩
14.电源:230 伏 50Hz
(8amp max. including Pump)