成熟的光学设计能力

  OmniEvo高性能光谱仪的光学设计，均采用经典的C-T结构，并结合公司多年的研发经验加以改进，在光学分辨率、通光效率和杂散光抑制等各项关键指标上达到**的平衡。其中采用OmniEvo180所采用的Omni-λ180i型影像校正光谱仪，更是国内首款运用影像校正设计和调校技术的光栅光谱仪，其性能达到了国际一流水平。

  全进口光栅

  OmniEvo光谱仪完全采用进口光栅（Newport公司生产），高质量的光栅确保了仪器的光谱性能指标。

  OmniEvo高性能光谱仪选用了Andor公司的科研级、制冷型CCD作为光谱探测器件，在400-1000nm范围内进行了响应度优化，***量子效率达到60%；芯片的制冷温度达到了-60℃，使得其读出噪声仅为6.2e/count，因而能够满足大部分的弱光光谱探测应用。另有制冷温度更低至-100℃的背感光CCD可选，噪声更低，峰值量子效率高达80%以上；还提供适用于900-1700nm范围内使用的制冷型线阵InGaAs探测器，可用于近红外波段的光谱信号探测。

  灵活的光输入结构选择

  OmniEvo高性能光谱仪采用的是标准的狭缝入口，开口宽度可在0.01-3mm之间灵活自由选择；通过可以选配光纤作为光输入附件，既可用于单点测量，也可以选择多通道光纤用于多点同时测量。