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硅晶片气体捕集装置
硅晶片气体捕集装置图片
产地:日本
吸附管数量:1支
解析率:70%
控温范围:室温至500℃
索取资料及报价
产品介绍

仪器简介:

?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的挥发性成分(有机污染物)。(SW-8400)

?用于捕集12吋硅晶片表面的挥发性成分(有机污染物)。(SW-12400)

?捕集单面硅晶片挥发性气体,操作简便。

?加热炉采用倒悬方式(参照下图),仅对晶片正面产生的气体进行捕集采样。

?加热炉最高可加热到500℃。

?加热炉封口采用O形环(聚亚胺材质)密封,无泄露。

?一般采用PAT(内容积10ml,填充2.5g Tenax GR)捕集气体。也可选用其他厂家的相应捕

集采样管进行采样。

?配备冷却水循环装置。

?配备防过热装置、联锁安全装置、急停按钮、漏水传感器(选配)等安全防范装置。

技术参数:

方式 : 倒悬方式

捕集硅晶片尺寸: 8"或6",5"以下需添加扩充环(12400型,12")

O形环:封口部直径220mm(聚亚胺)

石英加热炉: 透明石英材质

加热炉加热方式: 顶板?底板独立加热方式

加热炉使用温度: 常用400℃(最高可达500℃)

加热炉冷却: 冷却水循环装置

保温管: 内表面惰性化镀层处理

吹扫气: 通常用氮气,最大使用流量500ml/min

防过热装置: 电流15A,感应电流30mA

急停按钮: 红色,蘑菇型

安全装置: 联锁结构

加压方式: 电机驱动

设备尺寸: 1140(W)×1106(H)×750(D)mm

电源: 单相AC200V、15A?AC100V、20A

重量: 280 Kg

标准附件:

PAT(一级吸附管): 2支(与其它公司捕集管不配套)

PAT架: 1个(与其它公司捕集管不配套)

PAT适配器: 1个(与其它公司捕集管配套使用)

O形环: 2个

冷却水循环装置: 1台(附标准配管)

保温管: 1支

气体配管: 1套(1/16"-1/8")

缆线: 1套

工具: 1套

操作说明书: 1册

*SW-12400型的技术规格请垂询。

主要特点:

?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的挥发性成分(有机污染物)。(SW-8400)

?用于捕集12吋硅晶片表面的挥发性成分(有机污染物)。(SW-12400)

?捕集单面硅晶片挥发性气体,操作简便。

?加热炉采用倒悬方式(参照下图),仅对晶片正面产生的气体进行捕集采样。

?加热炉最高可加热到500℃。

?加热炉封口采用O形环(聚亚胺材质)密封,无泄露。

?一般采用PAT(内容积10ml,填充2.5g Tenax GR)捕集气体。也可选用其他厂家的相应捕

集采样管进行采样。

?配备冷却水循环装置。

?配备防过热装置、联锁安全装置、急停按钮、漏水传感器(选配)等安全防范装置。

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