射频离子源

产地:美国

产品介绍

价格电议

KRI 射频离子源 RFICP 系列

上海伯东美国 KRI 射频离子源RFICP 系列，无需灯丝提供高能量，低浓度的离子束，通过栅极控制离子束的能量和方向，单次工艺时间更长! 射频源RFICP 系列提供完整的套装，套装包含离子源本体，电子供应器，中和器，自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具，有效改善靶材的致密性，光透射，均匀性，附着力等.

射频离子源RFICP 系列技术参数:

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 阳极	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
离子束	聚焦，平行，散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通气	Ar， Kr， Xe， O2， N2， H2，其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直径	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

射频离子源 RFICP 系列应用:

离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )

离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )

表面改性，激活 SM (Surface modification and activation )

离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)

离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)

上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中，实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean，完成 LED-DBR 镀膜生产

右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试，样品无崩边

上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源，对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson， Inc 公司，研发生产考夫曼离子源，霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC，离子蚀刻 IBE，辅助镀膜 IBAD，离子溅射镀膜 IBSD 领域，上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论， 欢迎联络上海伯东叶女士，分机109