太赫兹近场光学显微镜 - THz-NeaSNOM

--30nm光学信号空间分辨率

太赫兹（THz）光源波长较大，一般在300微米左右。由于衍射极限的存在，THz远场测量系统的光学空间分辨率一般被限制在150微米左右。该THz光远场测量结果的准确度经常无法满足对材料科学研究，尤其是需要纳米分辨率的微细尺度材料分布研究（例如半导体芯片中各个组成：源极，漏极，栅极）的实验。THz-NeaSNOM近场光学显微镜的出现为此难题提供了一个很好的解决方案。

德国neaspec公司与Fraunhofer IPM在neaspec公司neaSNOM近场光学显微镜的基础上，已经成功研发了一套易用使用且THz系统的空间分辨率达到30nm的实验设备。

产品特点/基本参数

半导体结构表征—30nm空间分辨率

THz-NeaSNOM近场光学显微镜（下图左）对半导体结构的测量结果图。

该结果表明硅衬底（上图左，灰色）上的SiO（一氧化硅）的尺寸大约在1.5×1 平方微米。通过分析左侧的高度数据，可以知道该一氧化硅结构仅仅只有大约22纳米厚度。虽然该层状结构非常薄，但THz-NeaSNOM近场光学显微镜（下图左）在测量高度的同时仍然能够记录该结构与衬底的近场光学信号的明显不同衬度的结果。该THz-NeaSNOM近场光学显微镜不仅在测量非常薄样品的时 候灵敏度非常高，而且通过分析近场光学信号数据（下图右）也证实了它超高的空间分辨率（～25-30nm）。

表征半导体器件 Nature 456，454(2008)

超快机制研究纳米线  Nature Photonics 8，841(2014)