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晶圆键合机
晶圆键合机图片
产地:美国
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产品介绍


  AML("Applied Microengineering Ltd")成立于1992年。公司坐落于英国牛津哈威尔科学园,主要从事原位晶圆键合设备生产,并在拥有数百亿英镑高端现代化设备的BONDCENTER的支撑下,为客户服务键合相关服务工作。

  公司生产的对准键合机是目前市场上**能够实现在同一设备上完成原位对准、激发、键合的设备,是MEMS,IC,和III-V键合工艺的**选择。在实现原位键合的同时,该设备也被用于压纹、印压、纳米 压印及其它图形转移技术。可用于科研,并具有适合批量生产的全自动设备。

  AML BONDCENTER为客户提供了制作键合基底,键合器件及3D集成和芯片级封装的**场所。

NEW !  IRIS-红外晶圆键合检测& Maszara键合强度设备


红外检测是一种快速、简单的无损检测方法。它可以检测键合后整片晶

     圆的空洞、粘接不良或内部的颗粒。

   可以对直径200mm的晶圆做出快速检测

? 可检测的空洞最小高度是250nm

?  空洞横向最小尺寸600um。

IR检测整片键合完成的晶圆


? 在25mm宽的基板上进行测试。可达检测200mm的晶圆。

  ? 可使粘接强度的测量和分析更快速。

  ? IRIS键合强度测量已经得到SEMI MS5-0813 “Micro Chevron

   Testing”标准的认证。


全新的IRIS桌上型分析设备


? IRIS可以控制产品的失效。

   ? 插入角度—可通过设计来固定和控制。

   ? 边缘效应-IRIS测量整片晶圆。

自动的Maszara键合强度测试工具              ? 消除由于操作人员的技术和方法引起测量的不确定

                                                                                    性—IRIS提供可重复的刀片插入。

                                                                              ? 应力腐蚀-IRIS可以以比应力腐蚀速度更快的速度移动叶

片, 从而消除了应力腐蚀造成的误差。

                                                                              ? 兼容没有图形的晶圆—不像Chevron键合强度测试方法那

                                                                                  样,需要有特定图形的晶圆。

                                                                             ? 消除操作人员的影响,MAszara测试提供多次的重复结果。

                                                                             ?  操作更安全-不用人工操作。

                                                                             ?  整片晶圆的键合强度的mapping图。

?  测量键合强度可达2.5Jm-2。

       ?  键合强度测量支持多种材料的组合,例如:硅、膨化

          玻璃、蓝宝石、用户可以输入其它材料的弹性模数。

      ? 分析软件可以连续记录晶圆的条状位置;通过自动图像分

         析,提取裂缝长度。

全自动分析测量数据,

并生成键合强度的mapping


AML键合机

  晶圆对准键合机,广泛应用于MEMS器件,晶圆级封装技术(WLP),先进真空封装基底,TSV 3D互联工艺等。

AML键合机具有****的原位晶圆对准键合技术:

? 激活、对准、键合一体机

? 上下基板独立加热,适合Getter材料工艺

?  低拥有成本 & 高生产能力

?   智能作用力控制

?  可靠的全自动对准功能,对准精度可达1微米

?   **真空键合

?  可键合的芯片及晶圆尺寸 为 2” 到 12”

?   自动程序控制功能:适用于研发或生产等应用

?   图像采集功能:用于识别背面对准标记

?  键合前晶圆原位激活、化学表面处理功能

?   AML的BONDCENTER可为客户提供强大的工艺支持


新!

(New!)基於真空的临时键合技术,
在3D IC 工艺中**的应用,和粘附剂说再见吧!

       节省工艺时间,提高生产效率,高性价比!

- 无粘附剂的真空键合

- 键合时间<5 mins

- 最高工艺温度 >300oC

- 解键合时间<10mins

- 3D-IC 工艺最理想的选择

基板温度/键合力曲线图,上下基板可在键合过程中保持不同温度

Cu-Cu键合过程中在腔室内使用蚁酸气体对键合表面氧化物进行处理,处理后界面EDX谱图

AML  真空晶圆载片-

**临时键合解决方案,无需使用任何粘附剂

原位等离子体激活处理

原位对准系统

FAB12 - 全自动晶圆对准键合机

晶圆尺寸: 150mm & 200mm (或300mm)

晶圆厚度: Max. stack height 6.5mm

晶圆传输: 接触边缘 3mm 区域

基础气压: 10-6mbar range

抽气时间: 5 min (to 10-4mbar)

最大键合力: 25kN

卡盒数量: 2 or 3 (FOUP, SMIF or Open Cassette Load Ports)

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