PiLas皮秒半导体激光器

Pilas系列皮秒半导体激光器脉宽可低至18ps（FWHM），波长范围覆盖375nm～1550nm，峰值功率范围从20mW至高于1000mW（具体参数取决于所用的LD）。电触发信号和光脉冲之前的抖动约3～4ps。特殊波长和参数可根据客户要求定制。

两种版本可选。

1MHz PiLas（重复频率从单脉冲到1MHz）

?PiLas数字控制系统（EIG1000D）

?激光头PILxxxG（375nm～1550nm）

高速PiLas（通常固定100MHz，其他重复频率可定制）

?PiLas 100 MHz 控制系统 (EIG1000AF)

?激光头(PILxxxF)，波长400nm～1550nm（其他波长按要求）

选件

特点和应用范围

技术背景

下图描述了电脉冲泵浦下产生的光脉冲。

参数

一个完整的PiLas系统包括控制器EIG，激光头和光学装置。所有给出的波长均为范例，用户可以提出特殊的波长要求与ALS确认。一个对应的EIG，激光头可以互换使用以获得不同的波长。但一个激光头不可以在1MHz和100MHz控制器间互换。

激光头（至1MHz）

注：（1）更高功率可按客户要求。

高速激光头（固定100MHz）

其他频率10MHz～100MHz可按客户要求。

输出光装置

控制器

控制器尺寸：长×宽×高＝326 mm x 235mm x 88mm

图示：

PIL063F光脉冲（使用UltraFast 35探测）

PIL082Q光脉冲（使用滨松条纹相机拍摄）

PIL078G光脉冲（使用UltraFast20探测）