IGBT 模块沟槽型场截止半桥底座安装 D3 APTGL475A120D3G
RoHS 状态:符合 RoHS 规范 湿气敏感性等级 (MSL):1（无限） REACH 状态:非 REACH 产品 ECCN:EAR99 HTSUS:8541.29.0095 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 | 包装 | 散装 | | 零件状态 | 有源 | | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | | 配置 | 半桥 | | 不同 VGE、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.2V @ 15V，400A | | 输入 | 标准 | | NTC 热敏电阻 | 无 | | 工作温度 | -40℃ ～ 175℃(TJ) | | 安装类型 | 底座安装 | | 封装/外壳 | D-3 模块 | | 供应商器件封装 | D3 | | 电压-集射极击穿(最大值) | 1200 V | | 电流-集电极(Ic)(最大值) | 610 A | | 功率-最大值 | 2080 W | | 电流-集电极截止(最大值) | 5 mA | | 不同 Vce 时输入电容(Cies) | 24.6 nF @ 25 V | | 基本产品编号 | APTGL475 |
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