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MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 500V 180A 1250W 底座安装 SP6 APTM50AM17FG
MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 500V 180A 1250W 底座安装 SP6 APTM50AM17FG图片
RoHS 状态:符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
REACH 状态:非 REACH 产品
ECCN:EAR99
HTSUS:8541.29.0095
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产品介绍

技术参数

包装散装
零件状态有源
FET 类型2 个 N 通道(半桥)
FET 功能标准
漏源电压(VDSS)500V
25℃ 时电流-连续漏极(ID)180A
不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 90A,10V
不同 ID 时 VGS(th)(最大值)5V @ 10mA
不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值)560nC @ 10V
不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值)28000pF @ 25V
功率-最大值1250W
工作温度-40℃ ~ 150℃(TJ)
安装类型底座安装
封装/外壳SP6
供应商器件封装SP6
基本产品编号APTM50
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