MOSFET-阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1000V(1kV) 22A 390W 底座安装 SP6-P APTM100TA35SCTPG

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MOSFET-阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1000V(1kV) 22A 390W 底座安装 SP6-P APTM100TA35SCTPG

MOSFET-阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1000V(1kV) 22A 390W 底座安装 SP6-P APTM100TA35SCTPG图片

参考价格：2510.91元

RoHS 状态：符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 (MSL)：1（无限）

REACH 状态：非 REACH 产品

ECCN：EAR99

HTSUS：8541.29.0095

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产品介绍

技术参数

包装	散装
零件状态	有源
FET 类型	6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能	标准
漏源电压(V_DSS)	1000V(1kV)
25℃ 时电流-连续漏极(I_D)	22A
不同 I_D、V_GS 时导通电阻(最大值)	420 毫欧 @ 11A，10V
不同 I_D 时 V_GS(th)(最大值)	5V @ 2.5mA
不同 V_GS 时栅极电荷(Q_g)(最大值)	186nC @ 10V
不同 V_DS 时输入电容(C_iss)(最大值)	5200pF @ 25V
功率-最大值	390W
工作温度	-40℃ ～ 150℃(TJ)
安装类型	底座安装
封装/外壳	模块
供应商器件封装	SP6-P
基本产品编号	APTM100

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