MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 113A(Tc) 500W 底座安装 SP3 APTMC120AM25CT3AG

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MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 113A(Tc) 500W 底座安装 SP3 APTMC120AM25CT3AG

MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 113A(Tc) 500W 底座安装 SP3 APTMC120AM25CT3AG图片

参考价格：3238.1元

RoHS 状态：符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 (MSL)：1（无限）

REACH 状态：非 REACH 产品

ECCN：EAR99

HTSUS：8541.29.0095

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产品介绍

技术参数

包装	散装
零件状态	有源
FET 类型	2 个 N 通道(半桥)
FET 功能	碳化硅(SiC)
漏源电压(V_DSS)	1200V(1.2kV)
25℃ 时电流-连续漏极(I_D)	113A(Tc)
不同 I_D、V_GS 时导通电阻(最大值)	25 毫欧 @ 80A，20V
不同 I_D 时 V_GS(th)(最大值)	2.2V @ 4mA(标准)
不同 V_GS 时栅极电荷(Q_g)(最大值)	197nC @ 20V
不同 V_DS 时输入电容(C_iss)(最大值)	3800pF @ 1000V
功率-最大值	500W
工作温度	-40℃ ～ 150℃(TJ)
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP3
供应商器件封装	SP3

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