MOSFET-阵列 2 N 沟道(相角) 1700V(1.7kV) 100A(Tc) 700W 底座安装 SP1 APTMC170AM30CT1AG
RoHS 状态:符合 RoHS 规范 湿气敏感性等级 (MSL):1(无限) REACH 状态:非 REACH 产品 ECCN:EAR99 HTSUS:8541.29.0095 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 包装 | 散装 | 零件状态 | 有源 | FET 类型 | 2 N 沟道(相角) | FET 功能 | 碳化硅(SiC) | 漏源电压(VDSS) | 1700V(1.7kV) | 25℃ 时电流-连续漏极(ID) | 100A(Tc) | 不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 100A,20V | 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) | 2.3V @ 5mA(标准) | 不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值) | 380nC @ 20V | 不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值) | 6160pF @ 1000V | 功率-最大值 | 700W | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃(TJ) | 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SP1 | 供应商器件封装 | SP1 | 基本产品编号 | APTMC170 |
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