MOSFET-阵列 2 N-通道(双) 100V 680A-底座安装 Y3-Li VMM650-01F
RoHS 状态:符合 ROHS3 规范 湿气敏感性等级 (MSL):1（无限） REACH 状态:非 REACH 产品 ECCN:EAR99 HTSUS:8541.29.0095 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 | 包装 | 散装 | | 零件状态 | 有源 | | FET 类型 | 2 N-通道(双) | | FET 功能 | 标准 | | 漏源电压(VDSS) | 100V | | 25℃ 时电流-连续漏极(ID) | 680A | | 不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值) | 2.2 毫欧 @ 500A，10V | | 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) | 4V @ 30mA | | 不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值) | 1440nC @ 10V | | 工作温度 | -40℃ ～ 150℃(TJ) | | 安装类型 | 底座安装 | | 封装/外壳 | Y3-Li | | 供应商器件封装 | Y3-Li | | 基本产品编号 | VMM650 |
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