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通孔 N 通道-50W(Tj) 8-CDIP-EP HTNFET-D
通孔 N 通道-50W(Tj) 8-CDIP-EP HTNFET-D图片
RoHS 状态:不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
ECCN:EAR99
HTSUS:8541.29.0095
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产品介绍

技术参数

包装散装
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
驱动电压(最大 RDS(on),最小 RDS(on))5V
不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 100mA,5V
不同 ID 时 VGS(th)(最大值)2.4V @ 100µA
VGS(最大值)10V
功率耗散(最大值)50W(Tj)
工作温度-55℃ ~ 225℃(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装8-CDIP-EP
封装/外壳8-CDIP 裸露焊盘
漏源电压(VDSS)55 V
不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值)4.3 nC @ 5 V
不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值)290 pF @ 28 V
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