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MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 300A(Tc) 1875W 底座安装模块 BSM300D12P2E001
MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 300A(Tc) 1875W 底座安装模块 BSM300D12P2E001图片
RoHS 状态:符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
REACH 状态:非 REACH 产品
ECCN:EAR99
HTSUS:8541.29.0095
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产品介绍

技术参数

包装托盘
零件状态有源
FET 类型2 个 N 通道(半桥)
FET 功能碳化硅(SiC)
漏源电压(VDSS)1200V(1.2kV)
25℃ 时电流-连续漏极(ID)300A(Tc)
不同 ID 时 VGS(th)(最大值)4V @ 68mA
不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值)35000pF @ 10V
功率-最大值1875W
工作温度-40℃ ~ 150℃(TJ)
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装模块
基本产品编号BSM300
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