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SRAM-同步,DDR II+ 存储器 IC 144Mb(4M x 36)并联 550MHz 165-FBGA(15x17) CY7C2670KV18-550BZXI
SRAM-同步,DDR II+ 存储器 IC 144Mb(4M x 36)并联 550MHz 165-FBGA(15x17) CY7C2670KV18-550BZXI图片
RoHS 状态:符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
REACH 状态:非 REACH 产品
ECCN:3A991B2A
HTSUS:8542.32.0041
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产品介绍

技术参数

包装托盘
零件状态有源
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 同步,DDR II+
存储容量144Mb(4M x 36)
存储器接口并联
电压-供电1.7V ~ 1.9V
工作温度-40℃ ~ 85℃(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳165-LBGA
供应商器件封装165-FBGA(15x17)
时钟频率550MHz
基本产品编号CY7C2670
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