MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 193A(Tc) 925W 底座安装模块 CAS120M12BM2
RoHS 状态:符合 RoHS 规范 湿气敏感性等级 (MSL):1(无限) ECCN:EAR99 HTSUS:8541.29.0095 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 包装 | 散装 | 零件状态 | 有源 | FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) | FET 功能 | 碳化硅(SiC) | 漏源电压(VDSS) | 1200V(1.2kV) | 25℃ 时电流-连续漏极(ID) | 193A(Tc) | 不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 120A,20V | 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) | 2.6V @ 6mA(标准) | 不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值) | 378nC @ 20V | 不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值) | 6300pF @ 1000V | 功率-最大值 | 925W | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃(TJ) | 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 | 供应商器件封装 | 模块 |
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