离子蚀刻机 IBE

产地:日本

产品介绍

Hakuto 离子蚀刻机

伯东公司日本原装设计制造离子蚀刻机IBE. 提供微米级刻蚀，均匀性: ≤±5%，满足所有材料的刻蚀，即使对磁性材料，黄金 Au，铂 Pt，合金等金属及复合半导体材料，这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今，伯东公司已累计交付约 500套离子刻蚀机.

伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验，拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 离子刻蚀机 4IBE 离子刻蚀机 20IBE 全自动蚀刻机 MEL 3100

离子蚀刻机 IBE 主要型号

伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机，用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机以及全自动蚀刻机.

配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.

型号	4 IBE	7.5 IBE	16 IBE	20 IBE-C	MEL 3100
样品数量尺寸	4”φ， 1片	4”φ， 1片	6”φ， 1片	4”φ， 6片 6”φ， 4片	3”φ-6”φ，1片
离子束入射角度	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	-
考夫曼离子源	KDC 40	KDC 75	KDC 160	考夫曼型	-
极限真空度 Pa	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦8x10-5
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s	350	350	1250	1250	-
均匀性	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%

离子蚀刻机特性:

1. 采用美国 KRI 考夫曼型离子源，保障蚀刻速率和均匀性

2. 干式制程，物理蚀刻的特性

3. 蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状.

4. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻.

5. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”，使得样品可以得到比较均匀平滑的表面.

通 Ar 时，对各种材料的刻蚀速率

离子蚀刻机应用

薄膜磁头 Thin film Magnetic Head，自旋电子学 Spintronics， MR Sencer

微电子机械系统 MEMS Micro-electromechanical Systems

射频设备 RF Devices，光学组件 Optical Component，超导电性 Super Conductivity

Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE，提供微米级刻蚀，满足所有材料的刻蚀，即使对磁性材料，黄金 Au，铂 Pt，合金等金属及复合半导体材料，这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今， Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!

若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息，请联络上海伯东叶女士，分机109