射频离子源 RFICP 220

产地:美国

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KRI 射频离子源RFICP 220

上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源RFICP 220 高能量栅极离子源，适用于离子溅镀，离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中，射频离子源RFICP 220 配有离子光学元件，可以很好的控制离子束去溅射靶材，实现**的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中，离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev，离子电流可以超过 800 mA.

KRI 射频离子源RFICP 220 技术参数:

型号	RFICP 220
Discharge 阳极	RF 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦，平行，散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar， Kr， Xe， O2， N2， H2，其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射频离子源RFICP 220 应用领域：

预清洗

表面改性

辅助镀膜(光学镀膜)IBAD，

溅镀和蒸发镀膜 PC

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源，请联络上海伯东叶女士，分机109