RTP-6经济型快速退火炉

RTP-6升温速率可达80℃/s。

RTP-6采用抛物线形的黄金反射面，可均匀热处理6英寸的圆晶。该系统可进行快速的热处理，适合热处理工艺的研究与开发。可用于半导体工艺中硅化物的形成以及半导体化合物的过程退火。

应用：

1.离子注入后的活化退火

2.沉积氧化膜的退火

3.欧姆电极合金化

4.PZT，SBT和其它铁电薄膜的结晶退火

5.硅化物及自对准硅化物的生成

6.发光元件，半导体激光基板的热处理

7.超浅结的生成

8.铁电电容器沉积

9.栅氧化膜的生

特点：

l快速热处理

l腔体采用水冷，可进行快速降温

l真空置换气氛后，可采用流动气氛进行热处理

l温度程序设置和外部信号输入可以通过脑轻松控制

l加热过程的温度数据也可以显示在电脑上

l石英保护板（可选）可以安装在腔室内以防止污染

l配备了各种安全措施

l九个独立的加热区可实现不同尺寸样品均匀的温度控制

组成：

1.红外金面反射炉

2.加热腔

3.可编程温控器

4.9个独立的加热区

5.跨度变换单元

6.气体管路系统

7.热气排出系统

8.炉体框架，开关板

9.高温计（可选）

10.水冷机（可选）

11.真空泵（可选）

参数：