MOSFET-阵列 6 N-沟道(3 相桥) 600V 116A 625W 底座安装 SP6-P APTC60TAM21SCTPAG
RoHS 状态:符合 RoHS 规范 湿气敏感性等级 (MSL):1（无限） REACH 状态:非 REACH 产品 ECCN:EAR99 HTSUS:8541.29.0095 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 | 包装 | 散装 | | 零件状态 | 有源 | | FET 类型 | 6 N-沟道(3 相桥) | | FET 功能 | 标准 | | 漏源电压(VDSS) | 600V | | 25℃ 时电流-连续漏极(ID) | 116A | | 不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值) | 21 毫欧 @ 88A，10V | | 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) | 3.6V @ 6mA | | 不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值) | 580nC @ 10V | | 不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值) | 13000pF @ 100V | | 功率-最大值 | 625W | | 工作温度 | -40℃ ～ 150℃(TJ) | | 安装类型 | 底座安装 | | 封装/外壳 | 模块 | | 供应商器件封装 | SP6-P | | 基本产品编号 | APTC60 |
| |
相关产品
|
