SRAM-双端口，异步存储器 IC 9Mb(256K x 36)并联 208-CABGA(15x15) 70T651S12BFGI
RoHS 状态:符合 ROHS3 规范 湿气敏感性等级 (MSL):3（168 小时） REACH 状态:非 REACH 产品 ECCN:3A991B2A HTSUS:8542.32.0041 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 | 包装 | 托盘 | | 零件状态 | 有源 | | 存储器类型 | 易失 | | 存储器格式 | SRAM | | 技术 | SRAM - 双端口，异步 | | 存储容量 | 9Mb(256K x 36) | | 存储器接口 | 并联 | | 写周期时间-字，页 | 12ns | | 电压-供电 | 2.4V ～ 2.6V | | 工作温度 | -40℃ ～ 85℃(TA) | | 安装类型 | 表面贴装型 | | 封装/外壳 | 208-LFBGA | | 供应商器件封装 | 208-CABGA(15x15) | | 访问时间 | 12 ns | | 基本产品编号 | 70T651 |
| |
相关产品
|
