MOSFET-阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1200V(1.2kV) 87A(Tc) 337W 底座安装模块 CCS050M12CM2
RoHS 状态:符合 RoHS 规范 湿气敏感性等级 (MSL):1（无限） ECCN:EAR99 HTSUS:8541.29.0095 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 | 包装 | 散装 | | 零件状态 | 不適用於新設計 | | FET 类型 | 6 N-沟道(3 相桥) | | FET 功能 | 碳化硅(SiC) | | 漏源电压(VDSS) | 1200V(1.2kV) | | 25℃ 时电流-连续漏极(ID) | 87A(Tc) | | 不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值) | 34 毫欧 @ 50A，20V | | 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) | 2.3V @ 2.5mA | | 不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值) | 180nC @ 20V | | 不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值) | 2.810 nF @ 800V | | 功率-最大值 | 337W | | 工作温度 | 150℃(TJ) | | 安装类型 | 底座安装 | | 封装/外壳 | 模块 | | 供应商器件封装 | 模块 |
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