Removal of Photoresist ( after high-dose implant)(高剂量注入后)光刻胶的去除
After or before wet or dry etching process用于湿法或干法刻蚀工艺前后
SU 8 and other resists based on epoxy SU-8和其它环氧基光胶的去除
Sacrificial layers in MEMS fabrication微电子机械系统加工中牺牲层去除
Desorption of chemical residues去除化学残余物
Descum Process清除浮渣工艺
Photoresist and SU-8 Processing
in Semiconductor Wafer Fabrication
半导体硅片生产中光刻胶或SU-8胶工艺
Plasma Pre-Treatment
In Flat Panel Production
平板显示生产中等离子体预处理
Edge Isolation and Texturing
In Solar Cell Manufacturing
太阳能电池生产中边缘绝缘和制绒
Substrate Cleaning and Pre-Treatment
In Advanced Chip Assembly
先进晶片(芯片)装配中的衬底清洁和预处理
Avoids resist popping after high-dose implant预处理可避免光刻胶在高剂量离子注入后破裂
Soft removal of crust硬胶的轻柔去除
Maximum temperature of 230°C最高温度为230摄氏度
Slow temperature ramp – up温升慢
High density of radicals高密度激发态原子团
Shorter Process time工艺时间短
Lowest self bias voltage, low damage最低的自偏压,低损伤
Q150
Q235
Q240
最大样片尺寸
5"
6"
4", 5", 6", 8"
腔室尺寸(mm)
φ150 x 260depth
φ235 x 260depth
φ240x 460depth
处理能力
25x 5"
25x 6"
50x 6", 8"
工艺压力(Pascal)
1-100
频率(GHz)
2.45
功率(W)
100-600
100-1200
控制方式
全自动运行
外形尺寸
(WxHxD, mm)
500x370x550
590x460x550
760x775x775
主机重量(kg)
40
70
120
泵重量(kg)
32
83
总重量(kg)
72
102
203
总功率 (kW)
2.2
2.6
4.2