产品介绍 仪器简介: ■ 砷化铟探测器(InAs) ———近红外探测器 波长范围:1-3.8μm 技术参数: 主要技术指标 型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE 光敏面直径(mm) 2 2 波长范围(μm) 1-3.8 1-3.8 峰值响应度(A/W) 0.8 1.5 D*(@λpeak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5×109 9.1×1012 NEP(@λpeak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4 温控器型号 - ZTC-2 探测器温度(℃) 室温 -40 温度稳定度(℃) - ±0.5 信号输出模式 电流 电流 输出信号极性 正(P) 正(P) 制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC) 推荐使用前置放大器型号:ZAMP 主要特点: ■ 砷化铟探测器(InAs) ———近红外探测器 波长范围:1-3.8μm DInAs3800和DInAs3800-TE两种型号,其中:◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件;◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。 砷化铟探测器使用建议: ● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度; ● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度; ● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器; ● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制。 |
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