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分子束外延 MBE-8

上海伯东代理铠柏科技分子束外延设备 MBE-8 可以成长三寸以下的样品， 样品温度可以加到 900 摄氏度， 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度. 可以装置 8个束源炉， 最大容量 40cc. 配备晶振， 束流监控器， 高能电子枪以及监控软件. 可以装置固体源， 气体源 / ALD阀， 等离子增强型束源炉 ( plasma cell ) 及我们特制的电子回旋共振束源炉 ( ECR plasma cell ). 可装电子枪 E-beam.

此腔体是用 SUS316 不锈钢制作， 真空可到 2×10-10 torr， 使用上海伯东德国 Pfeiffer HiPace 700 分子泵.内部有全罩式液态氮冷罩， 可提供非常大的抽气效率. 分子束外延设备在长二维材料以及拓扑材料， 氧化物方面都有不错的性能. 如: III-V 族， II-VI 族， Si / SiGe， 金属与金属氧化物 (因为我们有独步全球的激光加热器， 可到 2英寸)， 以及 GaN， AlN， AlGaN， InGaN， AlGaInN， CIGS， OLED 等.

分子束外延 MBE-8 主要参数

• Cylindrical SS316L electro-polished chamber with Liquid N2 Cryopanel

• ～2E-10 Torr Base Pressure

• UHV pumps and gauges

• 3-in substrate size

• 4-axes sample manipulator (XYZ， and Rotation)

• SiC heating element with sample heating temperature: 900°C

• 2-12 slots for effusion cells， gas source， vavle crackers， and/or plasma source

• Standard RHEED system (real-time epitaxy monitoring)

• Beam flux monitor

• Mask system with z-motion

• Pressure control system: upstream and downstream

• FBBeam System Control Software

分子束外延设备优势

清洁基体表面， 无氧层

外延 ( 原子层 ) 沉积

沉积薄膜均匀性好， 纯度高

金属种子， 半导体材料和掺杂剂的原位沉积

精确控制热蒸发

使用 RHEED 系统进行现场涂层监测

沉积薄膜的超竖琴 XRD 图谱

上海伯东代理铠柏科技制造的超导结制备用电子束蒸镀设备， 铠柏镀膜机专精于金属及氧化物薄膜的制备， 可用于超导量子实验室制备超导结 ( 量子比特和约瑟夫森结 ) 和量子器件， 可以制备大面积， 高稳定性和可重复性超导结. 提供各种类型的 MBE， E-beam， Sputter， IBE. 提供客制化设备， 擅长各种类型系统的集成.