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高温高压光学浮区炉
高温高压光学浮区炉图片
产地:德国
最大功率:3kW 至 15kW可选
最高温度:3000℃
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产品介绍

高温高压光学浮区炉

德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度,晶体生长腔压力可达300bar,甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。

应用领域


适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。


耐高温、耐高压、高真空、

高透光率、拆装简便的样品腔

由德国弗劳恩霍夫应用光

和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面,

镜体位置可由高精度步进马达控制调节

光阑式光强控制器

更方便地调节熔区温度,延长灯泡寿命

仿真化触屏控制软件

界面友好,操作简单

熔区测温选件专利测温技术

可实时监测加热区温度

多路独立气路控制选件

可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力,

并可对气体进行比例混合与熔区进行反应

气体除杂选件

可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm

退火选件

可对离开熔区的单晶棒提供

高达1100℃退火温度和高压氧环境


SciDre单晶炉特点

●  采用垂直式光路设计

●  采用高照度短弧氙灯,多种功率规格可选

●  熔区温度:>3000℃

●  熔区压力:10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选

●  氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选

●  采用光栅控制技术,加热功率从0-100% 连续可调

●  样品腔可实现低至10-5mbar真空环境

●  丰富的可升级选件

SciDre单晶炉技术参数

熔区温度:高达2000 - 3000℃以上

熔区压力:高至10、50、100、150、300 bar可选

熔区真空:1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选

熔区气氛:Ar、O2、N2等可选

气体流量:0.25 – 1 L/min流量可控

氙灯功率:3kW至15kW可选

料棒台尺寸:6.8mm或9.8mm可选

拉伸速率:0.1-50mm/h

调节速率:0.6 mm/s

拉伸尺寸:130mm,150mm,195mm可选

旋转速率:0-70rpm

用电功率:400V三相 63A 50Hz

主机尺寸:330cm*163cm*92cm (不同规格略有差异)


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