电弧等离子体沉积系统
日本ADVANCE RIKO公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。
电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。
主要应用领域
技术原理
在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上。
真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体。
通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。
适用性
APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。
产品特点
1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。 2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm） 3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。 4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。 5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 | 
APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 |
系统参数
1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高 2. 抽空系统：分子泵450L/s 3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个 4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar） 5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm 6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米 7. 电容：360uF X5 （可选） 8. 脉冲速度：1，2，3，4，5 Pulse/s 9. 操作界面：触摸屏 10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm 形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化） 旋转速度：1-50rpm | 
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产品对比
