(等离子)原子层沉积系统(PE)ALD
产品介绍 主要应用: -适用于半导体用薄膜(Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO ……) -CIGS太阳能电池无镉缓冲层沉积 -晶硅太阳能电池表面钝化层沉积 -硅基WVTR(水蒸气透过率)的阻挡层 -Micro-OLED封装层 -柔性衬底用阻挡层 -OLED封装层 -柔性OLED显示器、柔性OLED照明、量子点、钙钛矿LED、柔性太阳能电池等高水分阻隔膜的卷对卷(R2R)ALD工艺: -可用于 LTPO TFT IGZO薄膜沉积 特点: 1.ALD高k介质,厚度均匀性好,保形步进覆盖。 2.先进的工艺套件和小体积的短周期室 3.实现了ALD机构(行波法) 4.小脚印全集成工艺模块 5.过程控制方便,供气线路长度小。 |
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