MOSFET-阵列 4 个 N 通道(H 桥) 1200V(1.2kV) 34A 780W 底座安装 SP6 APTM120H29FG

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MOSFET-阵列 4 个 N 通道(H 桥) 1200V(1.2kV) 34A 780W 底座安装 SP6 APTM120H29FG

MOSFET-阵列 4 个 N 通道(H 桥) 1200V(1.2kV) 34A 780W 底座安装 SP6 APTM120H29FG图片

参考价格：2297.09元

RoHS 状态：符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 (MSL)：1（无限）

REACH 状态：非 REACH 产品

ECCN：EAR99

HTSUS：8541.29.0095

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产品介绍

技术参数

包装	散装
零件状态	有源
FET 类型	4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能	标准
漏源电压(V_DSS)	1200V(1.2kV)
25℃ 时电流-连续漏极(I_D)	34A
不同 I_D、V_GS 时导通电阻(最大值)	348 毫欧 @ 17A，10V
不同 I_D 时 V_GS(th)(最大值)	5V @ 5mA
不同 V_GS 时栅极电荷(Q_g)(最大值)	374nC @ 10V
不同 V_DS 时输入电容(C_iss)(最大值)	10300pF @ 25V
功率-最大值	780W
工作温度	-40℃ ～ 150℃(TJ)
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP6
供应商器件封装	SP6
基本产品编号	APTM120

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