MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块 BSM180D12P2C101
RoHS 状态:符合 ROHS3 规范 湿气敏感性等级 (MSL):1（无限） REACH 状态:非 REACH 产品 ECCN:EAR99 HTSUS:8541.29.0095 索取资料及报价
产品介绍 技术参数 | 包装 | 散装 | | 零件状态 | 有源 | | FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) | | FET 功能 | 碳化硅(SiC) | | 漏源电压(VDSS) | 1200V(1.2kV) | | 25℃ 时电流-连续漏极(ID) | 204A(Tc) | | 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) | 4V @ 35.2mA | | 不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值) | 23000pF @ 10V | | 功率-最大值 | 1130W | | 工作温度 | -40℃ ～ 150℃(TJ) | | 封装/外壳 | 模块 | | 供应商器件封装 | 模块 | | 基本产品编号 | BSM180 |
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