MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块 BSM180D12P2C101

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MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块 BSM180D12P2C101

MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块 BSM180D12P2C101图片

参考价格：3171.17元

RoHS 状态：符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 (MSL)：1（无限）

REACH 状态：非 REACH 产品

ECCN：EAR99

HTSUS：8541.29.0095

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产品介绍

技术参数

包装	散装
零件状态	有源
FET 类型	2 个 N 通道(半桥)
FET 功能	碳化硅(SiC)
漏源电压(V_DSS)	1200V(1.2kV)
25℃ 时电流-连续漏极(I_D)	204A(Tc)
不同 I_D 时 V_GS(th)(最大值)	4V @ 35.2mA
不同 V_DS 时输入电容(C_iss)(最大值)	23000pF @ 10V
功率-最大值	1130W
工作温度	-40℃ ～ 150℃(TJ)
封装/外壳	模块
供应商器件封装	模块
基本产品编号	BSM180

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