MOSFET-阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 423A(Tc) 1660W 底座安装模块 CAS300M12BM2
产品介绍 技术参数 | 包装 | 散装 | | 零件状态 | 有源 | | FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) | | FET 功能 | 碳化硅(SiC) | | 漏源电压(VDSS) | 1200V(1.2kV) | | 25℃ 时电流-连续漏极(ID) | 423A(Tc) | | 不同 ID、VGS 时导通电阻(最大值) | 5.7 毫欧 @ 300A，20V | | 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) | 2.3V @ 15mA(标准) | | 不同 VGS 时栅极电荷(Qg)(最大值) | 1025nC @ 20V | | 不同 VDS 时输入电容(Ciss)(最大值) | 11700pF @ 600V | | 功率-最大值 | 1660W | | 工作温度 | 150℃(TJ) | | 安装类型 | 底座安装 | | 封装/外壳 | 模块，螺丝端子 | | 供应商器件封装 | 模块 | | 基本产品编号 | CAS300 |
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