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KRI 射频离子源RFICP 140

上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源， 非常适用于离子束溅射沉积， 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源RFICP 140 配有离子光学元件， 可以很好的控制离子束去溅射靶材， 实现**的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中， ***离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言， 可以在离子能量为 100～1000 eV 范围内获得很高的离子密度.

KRI 射频离子源RFICP 140 技术参数:

KRI 射频离子源RFICP 140 应用领域：

预清洗

表面改性

辅助镀膜(光学镀膜)IBAD，

溅镀和蒸发镀膜 PC

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson， Inc 公司， 研发生产考夫曼离子源， 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC， 离子蚀刻 IBE， 辅助镀膜 IBAD， 离子溅射镀膜 IBSD 领域， 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源， 请联络上海伯东叶女士，分机109