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微波等离子化学气相沉积系统
微波等离子化学气相沉积系统图片
产地:德国
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产品介绍

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD

微波等离子化学气相沉积技术(MPCVD), 通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。

MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS® 等离子技术解决了传统等离子技术的局限,可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团,减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化,从而确保单晶生长的持续性,为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。

应用领域

● 大尺寸宝石级单晶钻石

● 高取向度金刚石晶体

● 纳米结晶金刚石

● 碳纳米管/类金刚石碳(DLC)

● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3,c-BN的薄膜沉积和晶体合成。

MPCVD等离子化学气相沉积设备特点

1.CYRANNUS®技术无需在样品腔内安装内部电极,在沉积腔内,没有工作气体以外的任何物质,洁净,无污染源。等离子发生器可以保持长寿命,并可以确保腔内的等离子体的均匀分布,进一步生成晶体的纯净度和生长周期。

2.CYRANNUS®技术的腔外多电极设置,确保等离子团稳定生成于腔内中心位置,对腔壁、窗口等无侵蚀作用,减少杂质来源,提高晶体纯度。由CYRANNUS®系统合成的金刚石,纯度均在VVS级别以上。

3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高,运载气体保持合适的温度,因此可使基底的温度不会过高。

4.微波发生器稳定易控,能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体,在气流、气压、气体成分、电压出现波动时,确保等离子体状态的稳定,保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断,有利于获得大尺寸单晶金刚石。

5.可以采用磁约束的方法,约束在等离子团在约定的空间内,微波结和磁路可以兼容。

6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离,微波泄漏小,容易达到辐射安全标准。

7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体,满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。

化学机理概要

碳氢化合物:提供沉积材料

氢气:生成sp3键

氧:对石墨相/sp2键侵蚀

惰性气体:缓冲气体,或生成纳米晶体。

适用合成材料:

大尺寸宝石级单晶钻石

高取向度金刚石晶体

纳米结晶金刚石

碳纳米管/类金刚石碳(DLC)

金刚石薄膜

宝石级钻石

vvs1,~1 carrat, E grade

设备选件

多种等离子发生器选择:

频率:2.45 GHz, 915 MHz

功率:1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW,5-30 kW

等离子团直径:70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm

工作其他范围:0-1000 mBar



其他应用:

MPCVD同样适用于平面基体,或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3,c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累,可以为用户提供高度定制的设备,满足用户不同的应用需要。


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