一、产品基础概况
高纯碲（元素符号Te，CAS号：13494-80-9）属于稀散类半金属材料，地壳自然储量极低，无法单独形成独立矿产，多从铜、铅冶炼阳极泥中副产提取，是当前新能源、红外光电、半导体、热电材料领域刚需战略原材料。常温下外观为带有银白色金属光泽的脆性晶体，质地偏软，莫氏硬度2-2.5，受力易碎裂，无延展性。
核心理化指标：原子量127.60，常温密度6.25g/cm³，熔点452℃，沸点1390℃；属于窄禁带半导体材料，红外透光性、光电转换性能优异，化学性质稳定，常温干燥空气中氧化速率缓慢，长期放置仅表层生成浅灰色氧化膜。
二、行业纯度分级及杂质管控标准
结合国内半导体、光伏、军工行业准入规范，按照纯度分为三个主流等级，所有指标均通过ICP-MS电感耦合等离子体质谱仪逐批次检测，覆盖全部金属与非金属微量杂质：
5N级（99.999%，民用工业级）：总金属杂质含量≤10ppm，重点管控硒、硫、铁、硅四类共生杂质，单种含量不超过5ppm，铅、镉等重金属杂质严控在1ppm以内。主要适配民用薄膜光伏、常规热电合金、普通光学元器件生产，是市面流通量***高纯碲品类。
6N级（99.9999%，超高纯光电级）：总金属杂质≤1ppm，额外增加氧、碳、氢气体杂质专项管控，剔除材料内部微量晶格空位、夹杂缺陷。用于红外基底晶体、半导体溅射前驱原料、高精度工业光电组件，是中高端光电行业准入标配。
7N级（99.99999%，超高纯科研军工级）：全域总杂质≤0.1ppm，经过多次区熔深度提纯，杂质分布均匀无局部富集。**航天配套、核辐射探测、相变存储芯片、前沿材料科研项目。
三、常规供货形态（支持非标定制）
根据下游熔炼、蒸镀、溅射、晶体生长不同工艺需求，提供五种标准化成型形态，全部采用惰性气氛浇筑成型，避免加工过程二次氧化：
高纯碲锭：方形标准铸锭，表面致密平整，无缩孔、裂纹，适合真空感应熔炼、合金批量合成工序；
高纯碲珠/颗粒：粒径1-10mm球形颗粒，熔融速率均匀，适配真空热蒸发镀膜、单晶长晶投料；
高纯碲粉：100-3000目超细粉体，粉体氧含量达标，用于粉末冶金、特种复合材料掺杂；
高纯碲棒：实心致密圆棒，公差可控，适配小型真空蒸镀设备；
高纯碲溅射靶材：绑定铜背板成品靶材，平整度、致密度满足半导体磁控溅射产线要求。
