产地:北京
背散射电子图像分辨率:6nm@30kV 二次电子图象分辨率:3nm@30kV 加速电压:0-30kV 放大倍数:5x-300,000 索取资料及报价
产品介绍 分辨率高,成像质量更好 具有高,低真空功能,使用涡轮分子泵及压差光阑使低真空压力于10Pa-650Pa内可调 K型预对中钨灯丝,更换方便 五轴全自动优中心超大样品台 中英文操作界面,具有一键成像功能 图像模式:分辨率模式;景深模式;分析模式;鱼眼Live模式,混合像模式
项目 | EM6900LV | 分辨率 | 3.0nm (30KV);10nm(30kV); 4.0nm(30kV)低真空背散射电子分辨率 | 放大倍数 | 5x ~ 300,000x | 电子枪类型 | K型预对中钨灯丝阴极 | 加速电压 | 0 ~ 30kV,连续步进可调(0kV-10kV,100V步进;10kV-30kV,1kV 步进) | 透镜系统 | 三级电磁透镜(锥形物镜) | 物镜光阑 | 三个光阑可在真空外选择调节 | 可变真空 | 10Pa-650Pa (10Pa-270Pa无需安装压差光阑) | 换样抽真空时间 | 不大于3分钟 | 样品台 | 五轴优中心全自动马达样品台 | 样品台行程 | X:0-150mm;Y:0-150mm;Z:0-60mm;R:360° 连续;T:-5°~+75° | 样品室尺寸 | 340mm(长)320mm(宽)320mm(高) | 最大样品 | 直径≤240mm,高度≤75mm,重量≤5kg | 探测器 | E-T二次电子探测器,背散射探测器,样品室红外照明CCD,能谱仪 | 能谱仪 | 分辨率 | 优于127eV | 分析范围 | Be(4)-Pu(94) | 探测器 | SDD硅漂移探测器,帕尔贴半导体电制冷,无需液氮 |
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