价格电议

KRI 射频离子源 RFICP 100

上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源RFICP 100 紧凑设计， 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰， 在离子溅镀时， 离子源配有离子光学元件， 可以很好的控制离子束去溅射靶材， 实现**的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中， 离子源与离子光学配合， 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev， 离子电流可以超过 400 mA.

KRI 射频离子源RFICP 100 技术参数

KRI 射频离子源RFICP 100 应用领域

预清洗

表面改性

辅助镀膜(光学镀膜) IBAD，

溅镀和蒸发镀膜 PC

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE， 真空度 5E-10 torr， 系统配置如下

美国 KRI 射频离子源 RFICP 100

美国 HVA 真空闸阀

德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson， Inc 公司， 研发生产考夫曼离子源， 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC， 离子蚀刻 IBE， 辅助镀膜 IBAD， 离子溅射镀膜 IBSD 领域， 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源， 请联络上海伯东叶女士，分机109