高精度光学浮区法单晶炉

产品特点：

■  占地空间小，操作简单，易于上手，独立支撑设计

■  镀金双面高效反射镜，加热效率更高

■  可实现温度达2150°C

■  稳定的电源

■  内置闭循环冷却系统，无需外部水冷装置

■  采用商业化标准卤素灯

光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。

浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点极高材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。