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晶体管-双极 (BJT)-单 PNP 80V 5A 2W 接线柱安装 TO-59 JAN2N5003
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晶体管-双极 (BJT)-单 NPN 80V 5A 2W 底座,接线柱安装 TO-59 JANTXV2N5002
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晶体管-双极 (BJT)-单 NPN 80V 5A 2W 底座,接线柱安装 TO-59 JANTX2N5002
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晶体管-双极 (BJT)-单 NPN 80V 5A 2W 接线柱安装 TO-59 JAN2N5002
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MOSFET-阵列 2 N 沟道(相角) 1700V(1.7kV) 100A(Tc) 700W 底座安装 SP1 APTMC170AM30CT1AG
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MOSFET-阵列 2 N 沟道(相角) 1700V(1.7kV) 50A(Tc) 350W 底座安装 SP1 APTMC170AM60CT1AG
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IGBT 模块 APTGT400TL65G
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RF Mosfet MRFE8VP8600HR5
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NXP USA Inc.
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RF Mosfet LDMOS(双) 28V 350mA 2.58GHz 15.5dB 28W NI-780S-4L2L A2T26H160-24SR3
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二极管标准 4000V 4A 底座安装 S2KW4C-1D
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二极管标准 24000V 3A 底座安装 S2KW24C-6D
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二极管标准 20000V 3A 底座安装 S2KW20C-5D
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二极管标准 16000V 3A 底座安装 S2KW16C-4D
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二极管标准 12000V 3A 底座安装 S2KW12C-3D
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二极管阵列 1 对串联标准 48000V 1.5A 底座安装模块 S1KW48C-6D
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二极管阵列 1 对串联标准 40000V 1.5A 底座安装模块 S1KW40C-5D
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二极管阵列 1 对串联标准 32000V 1.5A 底座安装模块 S1KW32C-4D
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二极管阵列 1 对串联标准 24000V 1.5A 底座安装模块 S1KW24C-3D
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二极管阵列 1 对串联标准 16000V 1.5A 底座安装模块 S1KW16C-2D
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二极管标准 8000V 4A 底座安装 S1KW8C-1N
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