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IGBT 模块沟槽型场截止半桥 1700V 600A 2250W 底座安装 WB MG17450WB-BN4MM
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Littelfuse Inc.
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通孔-100A(Tc) 769W(Tc) TO-258 GA50JT06-258
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SCR 模块单路底座安装模块 VS-VSKS500/08PBF
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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SCR 模块串联-SCR/二极管底座安装 MAGN-A-PAK(3) VS-VSKH250-18PBF
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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二极管阵列 1 对共阴极标准 300A 底座安装 SUPER MAGN-A-PAK VS-VSKD600-20PBF
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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二极管阵列 1 对共阴极标准 300A 底座安装 SUPER MAGN-A-PAK VS-VSKD600-16PBF
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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二极管阵列 1 对共阴极标准 300A 底座安装 SUPER MAGN-A-PAK VS-VSKD600-12PBF
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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二极管阵列 1 对共阴极标准 300A 底座安装 SUPER MAGN-A-PAK VS-VSKD600-08PBF
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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IGBT 模块沟道半桥底座安装双 INT-A-PAK VS-GT400TH60N
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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IGBT 模块沟槽型场截止三级反相器底座安装双 INT-A-PAK VS-GT300FD060N
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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二极管-齐纳 ±5% 表面贴装型 B，SQ-MELF JANS1N6318US
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Microchip Technology
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RF Mosfet LDMOS(双) 230MHz 24dB 1250W NI-1230-4S MMRF1306HSR5
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NXP USA Inc.
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RF Mosfet LDMOS(双) 920MHz 19.5dB 100W OM-780G-4L MMRF1020-04GNR3
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NXP USA Inc.
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RF Mosfet LDMOS(双) 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230-4S MMRF1007HSR5
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NXP USA Inc.
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RF Mosfet LDMOS 450MHz 20dB 1000W NI-1230S-4 MMRF1006HSR5
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NXP USA Inc.
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RF Mosfet LDMOS(双) 920MHz 19.5dB 100W OM-780G-4L AFV09P350-04GNR3
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NXP USA Inc.
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RF Mosfet N 通道 920MHz 17.9dB 56W NI-1230S-4 GULL AFT09H310-04GSR6
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NXP USA Inc.
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二极管标准 12A 接线柱安装 DO-203AA JANTX1N3890R
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Microchip Technology
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二极管标准 1950A 底座安装 MDO1201-22N1
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IXYS
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RF Mosfet N 通道 27.12MHz 17dB 750W 模具 ARF1505
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Microchip Technology
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底座安装 N 通道 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6 APTM100UM65SCAVG
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MOSFET-阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1000V(1kV) 22A 390W 底座安装 SP6-P APTM100TA35SCTPG
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IGBT 模块沟槽型场截止三级反相器底座安装 SP6 APTGT100TL170G
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IGBT 模块沟槽型场截止半桥通孔 SP6 APTGLQ600A65T6G
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IGBT 模块沟槽型场截止全桥通孔 SP6 APTGLQ300H65G
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MOSFET-阵列 6 N-沟道(3 相桥) 600V 116A 625W 底座安装 SP6-P APTC60TAM21SCTPAG
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Microchip Technology
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RF Mosfet LDMOS 1.96GHz 18.2dB 63W NI-880XS-2L4S AFT18S290-13SR3
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NXP USA Inc.
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